三星今天宣布，其第一款40nm DRAM内存芯片已经完成并通过认证，并暗示这是迈向下代DDR4内存的关键里程碑。

三星称，这种40nm 1Gb DDR2内存芯片构成的1GB DDR2-800 SO-DIMM内存条已经通过Intel GM45平台的认证，相比于当前的50nm产品能减少30％的功耗，同时能将生产效率提高60％，新内存上市的速度也有望加快50％。

最有趣的是，三星指出40nm工艺对“超高性能DRAM技术”的开发来说是“至关重要的一步”，比如DDR4。三星没有透露更多细节，但DDR4内存很可能要到2012年才会面世。